台积电确认正研发3nm和4nm工艺:功耗降低30%、2022年量产

在台积电第26届技术研讨会上,台积电不仅确认5nm、6nm已在量产中,且5nm还将在明年推出N5P增强版外,更先进的3nm、4nm也一并公布。

3nm是5nm的自然迭代,4nm理论上说是5nm的终极改良。

技术指标方面,3nm(N3)将在明年晚些时候风险试产,2022年投入大规模量产。相较于5nm,3nm将可以带来25~30%的功耗减少、10~15%的性能提升。

4nm(N4)同样定于明年晚些时候风险试产,2022年量产。对于台积电N5客户来说,将能非常平滑地过渡到N4,也就是流片成本大大降低、进度大大加快。

当然,台积电不是唯一一家3nm厂商,三星的雄心更大,明年就想把3nm推向市场。而且在核心技术方面,三星的3nm将改用Gate-All-Around(GAA,环绕栅极晶体管),台积电则是坚守FinFET(鳍式场效应晶体管)。

三星比较鸡贼,3nm对比的是7nm,号称可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

台积电确认正研发3nm和4nm工艺:功耗降低30%、2022年量产

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